IT之家 3 月 10 日音讯，字据 Counterpoint Research 内存价钱跟踪论说，2026 年第一季度挪动内存价钱抓续大幅飞腾，其中 DRAM 价钱环比涨幅超 50%，NAND Flash 价钱环比暴涨超 90%。

这次大幅加价正激励智高手机物料清单（BOM）资本的结构性变化。Counterpoint 元器件资本与拆解业绩数据袒露，尽管总计价位段均受影响，但初学级机型所受冲击尤为严重。

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高瓜分析师白胜浩指出：“内存价钱暴涨正对智高手机 BOM 资本产生结构性影响。2026 年，AG庄闲和游戏手机厂商将在元器件资本、毛利率与出货量观点之间贫苦均衡。高度依赖初学机型霸占市集份额的厂商，将面对短期耗损的紧要风险。”

为缓解压力，手机厂商正颐养战术：

白胜浩进一步暗示：“面对内存价钱的大幅飞腾，旧例降本步伐成果可能有限。2026 年智高手机零卖价飞腾险些不成幸免。咱们瞻望低端机型零卖价将上调约 30 好意思元（IT之家注：现汇率约合 207.5 元东谈主民币），部分高端旗舰的资本压力也将转嫁给耗尽者，加价幅度或达 150–200 好意思元（现汇率约合 1384 元东谈主民币）。”

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